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SOI技术中的ESD保护

绝缘体上硅(SOI)技术已经存在了数十年,尽管具有若干技术优势(更低的功耗、更短的门延迟、减少的寄生电容),但它并未取代体硅CMOS工艺技术。对于某些特定应用,其益处可能超过晶圆成本更高和浮体效应、历史效应等设计挑战。

esd nmos 钳位 漏极 soi 2025-10-27 21:29  2

从功率器件视角解析vivo移动电源用料

自2016年vivo正式提出双引擎闪充以来,vivo在快充技术上持续迭代,从18W、22.5W到33W、80W、120W再到200W级别快充方案,逐步构建了完整的快充生态,并将自家闪充技术拓展至手机、移动电源、车充、无线充电等多个充电产品类别,满足居家、驾车、

器件 vivo 电源 移动电源 nmos 2025-09-30 15:42  3

盘点雷电5扩展坞常用VBUS开关管

对于轻薄笔电而言,机身厚度较薄,相对于全能本、游戏本而言,接口数量大幅减少,甚至苹果曾推出只有一颗USB-C接口的Macbook产品。但实现极致轻薄化却导致用户在实际使用上常面临诸多不便,尤其是偶尔需要外接多显示器、高速传输设备或多种外设时,单一USB-C接口

雷电 nmos 铝合金外壳 扩展坞 vbus 2025-09-30 11:34  2